키오시아-샌디스크, 업계 최고 집적도 3D QLC 낸드 플래시 메모리 기술 공개
김형석 기자
작성일 2026-08-06 18:02
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이번에 공개된 기술은 8세대 대비 비트 집적도를 최대 60% 향상시켜 37Gb/mm²를 초과하며, 이는 비트 집적도, 성능, 전력 효율성에서 업계 기준을 수립했다고 평가받는다. 양사의 혁신적인 CMOS 어레이 직접 접합(CBA) 기술을 활용한 이 기술은 CMOS 로직과 메모리 어레이를 별도의 웨이퍼에 제조한 후 결합하는 방식으로, 8세대 3D 플래시 메모리 대비 읽기 및 쓰기 대역폭을 향상시키고 초당 4.8기가비트(Gb/s) 인터페이스를 구현한 업계 최초의 QLC 3D 플래시 메모리 기술이다.
또한, 추가적인 인터페이스 개선을 통해 입출력(I/O) 데이터 출력 전송 전력 효율성이 향상되어 최신 AI 및 클라우드 인프라의 전력 및 냉각 과제를 해결하는 데 기여할 것으로 기대된다.
키오시아의 미야지마 히데시 최고기술책임자는 “AI가 사회 발전의 근간이 되면서 데이터 활용이 점점 더 다양화되고 정교해지고 있다”며 “QLC 기술은 빠르게 증가하는 데이터 볼륨을 효율적으로 저장해 AI 시스템의 더 높은 성능과 확장성을 제공하는 데 기여한다. 키오시아는 QLC 기술을 탑재한 10세대 플래시 메모리 제품의 상용화를 향한 개발을 가속화할 것”이라고 말했다.
샌디스크의 알퍼 일크바하르 최고기술책임자는 “AI 훈련, 추론, 하이퍼스케일 데이터센터 워크로드가 데이터 생성의 전례 없는 급증을 견인함에 따라 스토리지 업계는 더 높은 용량, 더 높은 성능, 개선된 에너지 효율성을 제공해야 하는 압박이 커지고 있다”며 “QLC 낸드의 성능 및 효율성 한계를 재정의함으로써 10세대 QLC 3D 플래시 메모리는 집적도, 대역폭, 에너지 효율성을 동시에 향상하고, 차세대 인프라 애플리케이션을 위한 확장 가능한 기반을 제공하는 대용량 플래시 스토리지의 새로운 패러다임을 확립한다”고 밝혔다.
10세대 QLC 3D 플래시 메모리 기술의 주요 특징으로는 332단 아키텍처와 최적화된 플로어플랜 설계를 통한 비트 집적도 향상, 토글 DDR6.0과 개별 커맨드 어드레스(SCA) 프로토콜을 통한 4.8Gb/s 낸드 인터페이스 지원, 집적도 스케일링, 성능, 제조 효율성을 향상시키는 CMOS 어레이 직접 접합(CBA) 아키텍처, I/O 데이터 출력 전송 전력 효율성을 향상시키는 전력 분리형 저탭 터미네이션(PI-LTT) 등이 있다.
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